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   标 题 : SST和三星签署130纳米嵌入式闪存授权协议
     闪存技术厂商超捷(Silicon Storage Technology, Inc., SST)和三星电子日前宣布,双方已签署了一项新的技术授权协议,该协议将为三星提供先进的深亚微米嵌入式闪存技术。
根据该协议,三星将授权使用SST的超快闪(SuperFlash)技术,并将其应用于三星130纳米技术节点中的高容量、高密度的嵌入式闪存和ASIC产品,如三星最近推出的2MB嵌入式闪存S3FJ91L智能IC卡。与三星签署这一新的授权协议巩固了双方的长期合作关系,。通过签署这一新的技术授权协议,三星率先成为将SST的SuperFlash技术用于130纳米技术节点产品的被授权商。

SST表示,目前市场上已有超过21亿家第三方公司采用了其闪存技术,SuperFlash的成功归因于其可靠性、低功耗以及与CMOS逻辑程序的兼容性。此外,SST已经与三星和全球代工合作伙伴等公司形成了稳固的合作伙伴关系,从而使SuperFlash技术能够在该行业得到广泛推广。

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